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溫度對材料介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的影響及變化規(guī)律

更新時間:2023-03-13      點擊次數(shù):6790

一、實驗過程:

    為探究材料在不同溫度及不同摻雜含量下的介電特性變化規(guī)律,本文將使用硅烷偶聯(lián)劑處理過的70um, 5um和1.5um球形氧化鋁按照6:2:2的質(zhì)量比進行混合,構(gòu)成高導熱填料體系,再將其添加到硅橡膠基體中,制備出不同填料添加含量下的熱界面復合材料樣品,該樣品呈圓形,其直徑為100mm、厚度為2mm。實物連接圖如圖1所示。實驗測量數(shù)據(jù)如表1所示。


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圖1介電常數(shù)/介質(zhì)損耗實物連接圖


表1溫度對介電常數(shù)的影響

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    由表2可知,實驗溫度由20℃升至160℃的過程中,純硅橡膠的相對介電常數(shù)由4.22上升至4.68,升高了10.9%;當填料的摻雜含量為80%時,復合材料的相對介電常數(shù)由6.02升高至7.83,升高了30.1%;當填料的摻雜含量為90%時,復合材料的相對介電常數(shù)由7.54升高至8.81,升高了16.8%。復合材料相對介電常數(shù)隨溫度的變化趨勢圖2所示。


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圖2不同溫度下材料介電常數(shù)的變化趨勢


    從圖2可以看出,在同一填充含量下,隨著溫度的升高,熱界面復合材料的介電常數(shù)呈不斷增大的趨勢。研究表明,以硅橡膠為基體的復合材料,其介電常數(shù)隨溫度的變化率明顯小于環(huán)氧樹脂等材料,這對于硅橡膠復合材料電性能的研究具有重要意義。溫度對熱界面復合材料的取向極化現(xiàn)象有兩種截然相反的作用:一方面,隨著溫度的升高,材料分子間的相互作用變?nèi)酰紭O子容易發(fā)生轉(zhuǎn)向,極化過程增強,導致介電常數(shù)增大,表現(xiàn)為正溫度系數(shù);另一方面,溫度越高,材料內(nèi)分子間熱運動越劇烈,不易建立偶極取向,極化過程減弱,介電常數(shù)降低,表現(xiàn)為負溫度系數(shù)。當溫度較低時,分子熱運動較弱,對偶極取向的影響較小,偶極取向容易建立,所以介電常數(shù)溫度的升高而不斷增大。隨著溫度的進一步升高,分子熱運動發(fā)揮的作用越來越大,極化現(xiàn)象減弱,介電常數(shù)的增長速率減慢,但仍表現(xiàn)為正的溫度系數(shù)。


    另外在同一溫度下,相對介電常數(shù)的值隨著熱界面復合材料中填料摻雜含量的增大而增大。20℃下,純硅膠的相對介電常數(shù)是4.22,摻雜含量為80%的熱界面復合材料的相對介電常數(shù)是6.02,摻雜含量為90%的熱界面復合材料的相對介電常數(shù)為7.54,填料參雜含量由80%升高至90%,其相對介電常數(shù)提高了25.2% 。之所以熱界面復合材料的相對介電常數(shù)會隨著填料摻雜含量的增加而增大,首先是因為氧化鋁填料的介電常數(shù)大于硅橡膠基體本身的介電常數(shù);其次,填料含量越高,基體與填料之間的接觸界面越多,界面效應會導致界面極化的加強,從而使介電常數(shù)升高。因此,填加有高導熱填料體系的復合材料其介電常數(shù)高于純硅膠,且隨著填料含量的增加,復合材料的介電常數(shù)不斷增大,介電性能逐步減弱。


    另外,隨著填料含量的增加,填料在基體中的分散性越來越差,制得的復合材料更容易出現(xiàn)氣孔、表面凹凸不平等缺陷,由于空氣的介電常數(shù)小于氧化鋁的介電常數(shù),因此,高填充含量下,測得的復合材料的介電常數(shù)會出現(xiàn)小于理論值的情況。


表2溫度對材料介質(zhì)損耗的影響

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圖3不同溫度下熱界面復合材料介質(zhì)損耗的變化趨勢


    材料的介質(zhì)損耗在不同溫度下的值如表2所示,其值隨摻雜含量和溫度的變化趨勢如圖3所示。由圖3可看出,隨著填料摻雜含量的增多,材料的介質(zhì)損耗逐漸增大。由表2可知,20℃下,純硅膠的介質(zhì)損耗角正切值是0.00001,摻雜含量為80%的熱界面復合材料的介質(zhì)損耗角正切值是0.0177,摻雜含量為90%的熱界面復合材料的介質(zhì)損耗角正切值為0.0313,填料摻雜含量由80%升高至90%,介質(zhì)損耗角正切值提高了76.8%。因此,無機填料的加入,使得硅橡膠的介電性能變差,且填料的摻雜含量越高,對熱界面復合材料的介電性能影響越大,電氣絕緣性能隨摻雜含量的增大而減小。


    隨溫度的升高,熱界面復合材料的介質(zhì)損耗呈逐漸增大趨勢:實驗溫度由200C升至160℃的過程中,純硅膠的介質(zhì)損耗角正切值由0.00001升高至0.00155;當摻雜含量為80%時,復合材料的介質(zhì)損耗值由0.0177升高至0.0634,升高了2.58倍;當參雜含量為90%時,復合材料的介電常數(shù)由0.0313升高至0.0812,升高了1.59倍。隨著溫度升高,材料內(nèi)分子的熱運動逐漸加劇,松弛損耗和電導損耗逐步增加,介質(zhì)損耗值增大。在材料制備過程中,不可避免的會引入少量的雜質(zhì),隨著溫度的升高,材料中雜質(zhì)粒子的電導開始逐步增強,產(chǎn)生的電導損耗不斷增加,最終導致復合材料的介質(zhì)損耗值急劇上升,變化速率隨溫度的升高而增大。


二、結(jié)論:

     實驗表明,同一摻雜含量下,介電常數(shù)和介質(zhì)損耗隨著溫度的升高而升高,當摻雜含量為80%時,實驗溫度由20℃升至160℃的過程中,復合材料的相對介電常數(shù)由6.02升高至7.83,升高了30.1%;介質(zhì)損耗值由0.0177升高至0.0634,升高了2.58倍。因為溫度升高造成分子鏈段運動,利于偶極子的取向,使介電常數(shù)和介質(zhì)損耗增大。同一溫度下,介電常數(shù)和介質(zhì)損耗隨著摻雜含量的增大而增大:20℃下,純硅膠的相對介電常數(shù)為4.22,摻雜含量為90%的熱界面復合材料的介電常數(shù)是7.54,相對于純硅膠,其值升高了78.7%,因為氧化鋁填料本身的介電常數(shù)大于純硅膠;20℃下,純硅膠的介質(zhì)損耗角正切值為0.00001,摻雜含量為90%的熱界面復合材料的介質(zhì)損耗角正切值是0.0313,相對于純硅膠,其值升高了3129倍。


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