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影響擊穿電壓的因素介質本征特性、微觀缺陷作用和外部條件

更新時間:2025-04-28      點擊次數:537

影響擊穿電壓的因素介質本征特性、微觀缺陷作用和外部條件

(一)介質本征特性

原子電離能級:當外加電場提供的能量達到介質原子最外層電子的勢阱深度時,將引發電子雪崩效應。例如,SiO? 的最外層電子勢阱深度為 8.4 eV。

晶體結構各向異性:某些材料的晶體結構在不同方向上的擊穿場強存在差異。例如,六方氮化硼(h-BN)沿 c 軸的擊穿場強比平面方向低 12% - 15%,而立方氮化硼(c-BN)各向異性差異小于 3%。

能帶間隙寬度:寬禁帶半導體(如 GaN,禁帶寬度 > 3.4 eV)相較硅(禁帶寬度 1.12 eV)具有更高的本征擊穿場強,理論極限可提高 2.8 倍。

(二)微觀缺陷作用

孔隙度影響:當陶瓷介質孔隙率從 0.5% 增至 5% 時,擊穿電壓下降系數符合指數關系。具體公式為:Vb = Vb0(1 - ε/εc)^n,其中臨界孔隙率 εc ≈ 7.3%,n = 2.4。

位錯密度效應:每平方厘米的位錯密度每提升 1×10?/cm2,硅基介質擊穿電壓下降 0.75% - 1.2%。

晶界偏析現象:雜質在晶界的偏析會導致局部電阻率降低 2 個數量級,形成優先擊穿路徑。

(三)外部條件作用

溫度響應特征:不同材料在不同溫度下的擊穿電壓表現不同。例如:

硅橡膠的溫度系數為 - 12 mV/℃,即溫度升高時擊穿電壓降低。

藍寶石的溫度系數為 + 3.5 mV/℃,即溫度升高時擊穿電壓升高。

PMMA 在其玻璃化轉變溫度(Tg)附近會出現非線性突變。

場強調控方式:均勻場與極不均勻場的擊穿閾值差異可達 3.5 - 5 倍。例如,球 - 板電極的場強校正因子為 K = 0.65√(d/r) + 0.35,其中 d 為間距,r 為球半徑。

介質厚度效應:介質厚度與擊穿電壓之間存在 “厚度 - 強度" 折中關系,厚度區段由介質損耗角正切值決定


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